Ученые Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) и Дальневосточного отделения Российской академии наук (ДВО РАН) разработали наногетероструктуру толщиной всего 75 нанометров, магнитные и магнито-электрические свойства которой могут помочь в разработке высокопроизводительных гибридных устройств полупроводниковой электроники с новыми спинтронными элементами. Статья об этом опубликована в Journal of Alloys and Compounds, информирует «Тихоокеанская Россия». Читать далее →